La division électronique du géant Sud-Coréen Samsung a annoncé une autre réalisation dans la technologie de la mémoire. Ils ont fini avec le développement et le test de leur puce de mémoire DDR4 10nm 8-gigabit de la 2ème génération.


Le plus petit du genre, la nouvelle puce DRAM est sur le point d'entrer dans la production de masse, après quoi elle trouvera sa place dans les PC sortis dans le futur.

Comparée à la puce de première génération, la nouvelle mémoire Samsung 8 Go est environ 15% plus écoénergétique et 10% plus rapide. La puce DRAM est capable de fonctionner à 3 600 Mbps alors que la génération précédente a livré un maximum de 3 200 Mbps. Le gain de productivité global est de l'ordre de 30% par rapport à la 1ère génération ce qui permettrait à l'entreprise de fabriquer rapidement les puces mémoire.

La nouvelle RAM n'a pas vu de changements dans le processus de fabrication, mais Samsung a réussi à réduire la taille en ajoutant de nouvelles technologies, notamment "un espaceur d'air unique" et un meilleur mécanisme de contrôle des erreurs.

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La société tente de généraliser leur mémoire 2e génération 10 nm, mais elle va également créer plus de puces 10 nm de la première génération pour répondre aux demandes de l'industrie.

Leur prochain grand développement après ceci serait les puces de RAM basées sur le processus de fabrication de LPP de 8nm. En outre, Samsung se concentre sur d'autres technologies de mémoire comme DDR5, LPDDR5, GDDR6 et HBM3 qui trouvent leur utilisation dans un certain nombre de dispositifs mobiles, GPU haut de gamme, systèmes HPC, etc.
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youcef ibrahim

Youcef Ibrahim est le fondateur de Tec-Tuto. Il écrit les tutoriels spécialement sur Android, iPhone, Ordinateur, Internet, Réseaux sociaux, etc. Il aime partager ses connaissances avec les autres à travers le blog.

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